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太阳能锗晶片

研究制造了我国第一台4英寸和6英寸VGF法单晶生长炉,建成了国内有第一条国4英寸和6英寸VGF法“零位错”太阳能电池用锗单晶片生产线。

We invented the first 4’’ & 6’’ VGF monocrystal furnace in China and set up the first production line of 4’’ & 6’’ zero EPD VGF germanium wafer producing line.


锗晶片技术规格

   生长方法

  Growth Method 

   VGF 

  掺杂类型

  Dopant 

  P型:镓 

  p-type: Ga 

  N型:砷

  n-type: As

  晶片形状

  Wafer Shape 

  圆形(尺寸2346英寸)

  Round (DIA: 2’’, 3’’, 4’’6") 

  晶向 

  Surface Orientation * 

  (100)±0.5° 

  * Other Orientations maybe available upon request 

    其他晶向要求可根据客户需求加工 

  电阻率 

  Resistivity  (Ω.cm) 

  根据客户要求

  As Required

  位错 

  Etch Pitch Density (cm2) 

  ≤ 300 

  厚度 

  Thickness (m) 

  175±25(或根据客户要求)

  175±25 (or as required) 

  TTV [P/P] (m) 

  ≤ 10 

  WARP (m) 

  ≤ 15 

  IF** (mm) 

  32.5±1 

  **If needed by customer 

      根据客户需要 

  主面抛光

  Surface 

   E/E, P/E, P/G 


锗衬底产品营销中心:
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E-mail:mayche@sino-ge.com / alexchen@sino-ge.com
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